光伏探测器相关论文
对于芯片加速寿命可靠性试验来说，温度是其中最重要的一环。首先，立足于芯片可靠性试验中温度的变化，探究高温烘烤对InSb红外探测器芯......
得益于半导体材料及器件技术的飞速发展,基于光生伏特效应的光电探测器已经可以完美地覆盖从紫外、可见直至中远红外的多个波段。......
由于制造工艺和生产条件的不同,光伏探测器的特征参量结品质因子和反向饱和电流有很大差别。提出一种PN结特征参量的间接测量方法,......
温度烘烤是pn结型器件加速实验的常用方法之一。针对室温工作的短波碲镉汞(HgCdTe)红外探测器开展了真空烘烤实验研究。实验样品分......
<正> 休斯研究实验室和林肯实验室是美国研究激光最早和最重要的机构,这两个实验室在激光的研究方面,特别是在激光的军事应用方面,......
用P型Pb_(1-x)Ge_xTe(0.05≤x≤0.11)通过锑杂质扩散形成n-p结已制成光伏红外探测器。在77和195K之间的温度下进行了测量,其长波响......
研究HgCdTe材料中离子注入所引起的组分变化主要包含了以下几方面的内容:一.简要介绍了电子阻止本领,核阻止本领和注入离子射程分......
该文主要从理论及实验上对有关激光辐照的具体问题进行了研究.该文详细的分析了注入和退火样品载流子的作用,指出注入和退火的影响......
报道了采用改进的区熔工艺生长的三元系金属化合物半导体ＨｇＣｄＴｅ材料研制的短波光伏探测器．其工作温度为室温（３００Ｋ），在响应波段１．５８～１．６４μｍ内探测率优于３．０×１０１１ｃｍＨｚ１／２Ｗ－１，量......
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利用自主的分子束外延(MBE)技术在CdZnTe(111)基底上生长PbTe半导体探测器材料,通过在PbTe薄膜上沉积In2O3透明导电薄膜、ZnS绝缘......
在同一Hg1-xCdxTe晶片上(x=0.217)制备了单层ZnS钝化和双层(CdTe+ZnS)钝化的两种器件,对器件烘烤前后的暗电流和1f噪声进行了测试,......
实验发现某些UV-110硅紫外增强型光伏探测器件的开路电压值随入射光强增大反而下降,在一定入射光强下出现峰值.实验和理论分析指出......
如何提高碲镉汞焦平面探测器的制备工艺，降低暗电流直接关系到探测器的噪声和灵敏度。本文对所研制的垂直结碲镉汞光伏探测器在工作......
首次采用Na2S·9H2O在n^＋-p-HgCdTe表面进行化学硫化，然后溅射ZnS于化学硫化层上的钝化方法。Ⅰ-Ⅴ特性曲线显示，经过化学硫化的n......
对所生产的光伏ＩｎＳｂ器件Ｒ０Ａ值进行了测试，结面积为φ２．９ｍｍ的单元器件Ｒ０Ａ值在５．７１×１０＾４～５．７５×１０＾６Ωｃｍ＾２之间，在５０×１００μｍ＾２的线阵器件典型Ｒ０Ａ值为３×１０＾４Ωｃｍ＾２，对测试结果进......
利用^60Coγ源对碲镉汞光伏探测器进行了辐射损伤研究,通过电流-电压测试方法对器件的辐射效应进行了表征。利用数值微分方法得到......
通过对气态源分子柬外延结合常规器件工艺研制的晶格匹配InGaAs／InP光伏型探测器阵列光响应和暗电流特性的表征和比较，研究了聚酰亚......
用倒易二维点阵对HgCdTe光伏探测器钝化及其热处理行为进行了研究,发现测射沉积的钝化膜会引起HgCdTe的晶面弯曲,严重的会出现晶面......
利用同一片碲镉汞材料制备了由单层ZnS和双层CdTe/ZnS作钝化膜的变面积光伏探测器,对两种钝化膜结构的变面积器件进行了对比研究.......
把碲镉汞（HgCdTe）光伏探测器的零偏压结电阻R0和结电容Cd的交流测试法与124A型锁相放大器的特点结合起来，提出了一种新颖的R0和Cd测量......
HgCdTe光伏探测器的钝化介质膜应力常常限制其低温性能,利用高分辨率多重晶X射线衍射仪中的三重晶衍射技术和倒易空间作图对钝化介......
在同一HgCdTe晶片上制备了单层ZnS钝化和双层(CdTe+ZnS)钝化的两种光伏探测器，对器件的性能进行了测试，发现双层钝化的器件具有较好......
对采用单层ZnS和双层CdTe／ZnS两种钝化层结构的长波碲锅汞光伏器件进行了实时γ辐照效应研究．通过辐照过程中实时测试器件的电流-电......
<正> 多量子阱红外焦平面光伏探测器的光敏元芯片是红外焦平面探测器件的核心部件。在目前的量子型红外焦平面技术中,光敏元芯片都......
研究了1 MeV电子辐照对短波Hg1-xCdxTe光伏探测器的影响.通过测试电子辐照前后光伏探测器的响应光谱、信号、噪声、暗电流等性能参......
在同一Hg1-xCdxTe晶片上(x=0.217)制备了单层ZnS钝化和双层(CdTe+ZnS)钝化的两种器件,对器件的低频噪声和暗电流进行了测试.发现单......
利用氢等离子体对碲镉汞光伏型探测器进行了变面积氢化处理研究，发现随着氢化面积的变大，器件的电流-电压（I-V）特性得到明显改善，表现在......
对B+注入的n-on-p平面结和分子束外延(MBE)技术原位铟掺杂的n+-n-p台面异质结的碲镉汞(HgCdTe)长波光伏探测器暗电流进行了对比分......
报道了一种适用于碲镉汞长波光伏探测器的由典型电阻电压（R-V）曲线提取器件基本特征参数的数据处理途径．拟合程序中采用的暗电流机制......
利用氢等离子体方法研究了氢化处理对碲镉汞光伏型红外探测器性能的影响，发现对ZnS介质层钝化的器件进行氢化处理后，器件的信噪比和......
研究了光伏型HgCdTe中波探测器的暗电流与烘烤时间的关系特性.编写了一种适用于n-on-p型的中波HgCdTe红外探测器的解析拟合程序.结......
对中波碲镉汞光伏探测器进行了实时gamma辐照效应研究.通过在辐照过程中对器件的电流—电压特性曲线进行测试,得到了器件电学性能......
采用等温气相外延方法（Isothermal Vapor Phase Epitaxy,ISOVPE）在CdZnTe衬底上生长出碲镉汞外延材料。在此基础上研制出在近室温条......
焦平面列阵技术的不断发展以及高质量Ⅲ-V族材料的可获性,巳使得采用InGaAs光伏探测器的高性能商用二维列阵的制备成为可能.这种先......
介绍了光伏效应的产生过程,建立了光生电动势的数学模型,并讨论了各参数对理想光伏探测器的光生电动势的影响.......
报道了砷掺杂基区n-on-p长波碲镉汞平面结器件的电流电压特性、光谱响应特性,并同p型汞空位n-on-p长波碲镉汞平面结器件进行对比分......
表面漏电流能对Hg1-xCdxTe光伏探测器性能产生很大的影响,因此选择合适的钝化工艺尤其重要.本文主要论述了Hg1-xCdxTe光伏探测器表......
期刊
<正> 激光晶体设计制造了双导柱激光单晶炉,采用逆变器中频感应加热。导柱套用新结构和新材料,具有吸震与自阻尼特性,爬行极微。能......
1 引言旋翼共锥度的测量 ,是直升机生产、维护中的重要检查项目。但由于共锥度的测量是在旋翼高速旋转的动态下进行 ,所以在过去......
采用气态源分子束外延方法及应用有源区同质结构及较薄的组分渐变InxGa1-xAs缓冲层，研制了波长扩展的InGaAs／InP光伏探测器系列，其室......
近年来,半导体纳米线以其特有的一维结构、优异的电学、光学性质成为当前光电子器件领域的研究热点。与薄膜材料相比,半导体纳米线......
采用气态源分子束外延（GSMBE）生长技术结合常规半导体工艺制成了正进光台面型8元In0．53Ga0．47As／InP光伏探测器阵列，并对其特性进行了测......
